FQP50N06 — N-канальный MOSFET 60В 50А JSMSEMI | Магазин Электроника
⚡ Магазин работает! Электронные компоненты в наличии • Доставка по России • Оплата онлайн ⚡
ООО "Электроника"
Полевые транзисторы (FET)
  1. Домой
  2. Каталог
  3. Электронные компоненты
  4. Дискретные полупроводники
  5. Транзисторы
  6. Полевые транзисторы (FET)
  7. FQP50N06 — N-канальный MOSFET 60В 50А JSMSEMI

FQP50N06 — N-канальный MOSFET 60В 50А JSMSEMI

0 отзывы
Добавить свой отзыв
49,00 ₽
73,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 49,00 ₽
от 10 шт. 35,40 ₽
от 100 шт. 27,93 ₽
В наличии: 154 шт.
FQP50N06 (JSMSEMI) — мощный N-канальный MOSFET-транзистор 60V 50A Тхенические характеристики: Тип: N-канальный MOSFET Напряжение сток-исток (VDSS): 60V Ток стока (ID): 50A (при 25°C) Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0.022 Ом (при VGS=10V) Мощность рассеивания (PD): 150W Корпус: TO-220…
563600
FQP50N06 — N-канальный MOSFET 60В 50А JSMSEMI

FQP50N06 (JSMSEMI) — мощный N-канальный MOSFET-транзистор 60V 50A

Тхенические характеристики:

Тип: N-канальный MOSFET

Напряжение сток-исток (VDSS): 60V

Ток стока (ID): 50A (при 25°C)

Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0.022 Ом (при VGS=10V)

Мощность рассеивания (PD): 150W

Корпус: TO-220 (удобен для монтажа)

Температурный диапазон: -55°C до +175°C

Преимущества:

Высокий ток нагрузки — до 50А

Низкое сопротивление в открытом состоянии — 0.022 Ом (минимум потерь)

Быстрое переключение — подходит для ШИМ-управления

Прочный корпус TO-220 — удобен для радиаторов и активного охлаждения

Широкий диапазон рабочих температур — стабильная работа в экстремальных условиях

Где применяется?• Силовые преобразователи (DC-DC, инверторы)
• Управление двигателями (драйверы моторов, сервоприводы)
• Зарядные устройства (для АКБ, power bank)
• Светодиодные драйверы (диммеры, LED-контроллеры)
• Промышленная автоматика (реле, коммутация силовых цепей)

Производитель JSMSEMI
Тип канала N-Channel
Напряжение VDSS, В 60
Ток стока ID, А 50
RDS(on), мОм 22
Корпус TO-220
Макс. температура перехода, °C 175
Выходная ёмкость, пФ 65
Количество каналов 1
Тип монтажа На печатную плату
Рабочая температура, °C -55 до +175
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 120
Общий заряд затвора Qg, нК 31
Емкость затвор-сток Crss, пФ 65
Максимальное напряжение затвор-исток VGS(max), В 20
Технология изготовления DMOS
Тепловое сопротивление переход-корпус, °C/Вт 1
Минимальное напряжение пробоя сток-исток, В 60
Импульсный ток стока IDM, А 200

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽
Этот сайт использует файлы cookies и сервисы (Яндекс.Метрика) сбора технических данных посетителей (данные об IP-адресе, местоположении и др.) для обеспечения работоспособности и улучшения качества обслуживания. Продолжая использовать наш сайт, вы автоматически соглашаетесь с использованием данных технологий.
ПОЛИТИКА КОНФИДЕНЦИАЛЬНОСТИ

Корзина

Ваша корзина пуста.
Промежуточный итог:
0,00 ₽
Перейти в корзину Оформить заказ