Память FRAM (Ferroelectric RAM) объёмом 256 Кбит с интерфейсом SPI. Напряжение питания 2,7–5,5 В. Частота тактирования до 20 МГц. Ток потребления 15 мкА в режиме ожидания, 2 мА при работе. Гарантированный ресурс 100 триллионов циклов записи (срок службы 151 год). Диапазон рабочих температур −40…+85 °С. Корпус SOIC-8-150mil. Соответствует RoHS.
Этот сайт использует файлы cookies и сервисы (Яндекс.Метрика) сбора технических данных посетителей (данные об IP-адресе, местоположении и др.) для обеспечения работоспособности и улучшения качества обслуживания. Продолжая использовать наш сайт, вы автоматически соглашаетесь с использованием данных технологий.