Память FRAM (ферромагнитная оперативная память) объёмом 4 Кбит с интерфейсом SPI. Напряжение питания 2.7–3.6 В. Максимальная частота 20 МГц. Ток потребления 3 мА в режиме работы, 6 мкА в режиме ожидания. Рабочий диапазон температур −40 °C~+85 °C. Ресурс памяти 100 триллионов циклов записи (срок службы 151 год). Корпус DFN-8-EP(4x4.5). Соответствует RoHS.
Этот сайт использует файлы cookies и сервисы (Яндекс.Метрика) сбора технических данных посетителей (данные об IP-адресе, местоположении и др.) для обеспечения работоспособности и улучшения качества обслуживания. Продолжая использовать наш сайт, вы автоматически соглашаетесь с использованием данных технологий.