Используя новую технологию IGBT с задержкой возбуждения, новая микросхема ON SemiconductorСерия IGBT 2-го поколения с задержкой возбуждения предлагает оптимальные производительность для солнечных инверторов, ИБП, сварочных аппаратов, телекоммуникаций, ESS и PFC приложения, где важны низкие потери…
511358
Используя новую технологию IGBT с задержкой возбуждения, новая микросхема ON SemiconductorСерия IGBT 2-го поколения с задержкой возбуждения предлагает оптимальные производительность для солнечных инверторов, ИБП, сварочных аппаратов, телекоммуникаций, ESS и PFC приложения, где важны низкие потери проводимости и переключения.
Функции
• Максимальная температура перехода: TJ = 175°C
• Положительный температурный коэффициент для легкой параллельной работы
• Возможность сильного тока
• Низкое напряжение насыщения: VCE(sat) = 1,9 В (тип.) @ IC = 60 A
• Высокий входной импеданс
• Быстрое переключение: EOFF = 7,5 мкДж/А
• Уточненное распределение параметров
• Это устройство не содержит свинца и соответствует требованиям RoHS.
Этот сайт использует файлы cookies и сервисы (Яндекс.Метрика) сбора технических данных посетителей (данные об IP-адресе, местоположении и др.) для обеспечения работоспособности и улучшения качества обслуживания. Продолжая использовать наш сайт, вы автоматически соглашаетесь с использованием данных технологий.