FGH40N60SMD, IGBT-транзистор (unknown manufacturer) | Магазин Электроника
Loading

FGH40N60SMD, IGBT-транзистор (unknown manufacturer)

168,00 ₽
224,00 ₽
Loading
В наличии: 1 шт.
Транзисторы рассчитаны на уровни напряжений не менее 600 вольт при токах коммутации в районе нескольких ампер
562766

Транзисторы рассчитаны на уровни напряжений не менее 600 вольт при токах коммутации в районе нескольких ампер

Максимальное напряжение VCES: 600 Вольт

Максимальный ток коллектора IC: 40 Ампер при Тс=100C (80 Ампер при Тс=25C)

Максимальная мощность: 116 Ватт Тс=100C (290 Ватт при Тс=25C)

Рабочая температура: +175C

Тип корпуса: TO-247

Так как производитель отличается от оригинального, то и параметры могут быть хуже указанных выше.

Бренд UNKNOWN
Страна-изготовитель Китай
Корпус TO-247-3
Мощность, Вт 40
Напряжение Vces, В 600
Ток коллектора Ic, А 40
Напряжение насыщения Vce(sat), В 2.5
Макс. температура перехода, °C 150
Встроенный диод Да
Напряжение затвор-эмиттер макс, В 20
Пороговое напряжение затвора, В 4
Импульсный ток, А 80
Заряд затвора, нКл 70
Время нарастания, нс 60
Выходная ёмкость, пФ 1800
Тепловое сопротивление, °C/Вт 5
Входная емкость Ciss, пФ 2500
Время обратного восстановления диода, нс 150
Технология изготовления Si
Время задержки включения td(on), нс 30
Время задержки выключения td(off), нс 50
Время спада tf, нс 60
Обратная ёмкость, пФ 80
Прямое напряжение диода, В 1.1
Ток утечки коллектора ICES, мА 0.5
Серия технологии FGH
Напряжение зажима Vclamp, В 0
Импульсный ток коллектора Icm, А 80
Тепловое сопротивление корпус-окружающая среда, °C/Вт 62
Тепловое сопротивление встроенного диода, °C/Вт 5
Тип канала IGBT N-channel

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Корзина

Ваша корзина пуста.