CSD17573Q5B | Магазин Электроника
Loading
Полевые транзисторы (FET)

CSD17573Q5B

107,00 ₽
110,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 107,00 ₽
от 5 шт. 100,90 ₽
Срок поставки 12 дней
Loading
Доступно: 14 шт.
N-канальный MOSFET, 100A, 1.45мΩ@4.5V, PDFN-8(5x6)
p524971
Изображение корпуса DFN-8, не фото товара

N-канальный MOSFET серии CSD17573Q5B. Напряжение затвора 1.8V, максимальный ток 100A, рассеиваемая мощность 195W. Сопротивление открытого канала 1.45мΩ при напряжении 4.5V. Емкость затвора 1nF, емкость между стоком и затвором 390pF, заряд затвора 64nC@4.5V, емкость между стоком и истоком 9nF. Напряжение пробоя 30V. Диапазон рабочих температур -55℃~+150℃. Корпус PDFN-8(5x6). Соответствует требованиям RoHS.

Производитель Texas Instruments
Тип канала N-Channel
Напряжение VDSS, В 30
Ток стока ID, А 100
RDS(on), мОм 1.45
Корпус DFN-8
Выходная ёмкость, пФ 1000
Рабочая температура, °C -55…+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 195
Общий заряд затвора Qg, нК 64
Емкость затвор-сток Crss, пФ 390
Входная емкость Ciss, пФ 9000
Напряжение затвор-сток VGSth(max), В 1.8

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.