CSD16340Q3 | Магазин Электроника
Loading
Полевые транзисторы (FET)

CSD16340Q3

116,00 ₽
120,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 116,00 ₽
от 5 шт. 110,50 ₽
от 20 шт. 110,45 ₽
от 37 шт. 103,30 ₽
от 61 шт. 99,33 ₽
от 101 шт. 96,15 ₽
от 168 шт. 91,82 ₽
Срок поставки 12 дней
Loading
Доступно: 325 шт.
N-канальный MOSFET, 25В, 60А, 3.8мΩ@8В
p553739
Изображение корпуса DFN-8, не фото товара

N-канальный MOSFET серии CSD16340Q3 в корпусе VSON-CLIP-8(3.3x3.3). Напряжение сток-исток 25В, максимальный ток стока 60А, сопротивление открытого канала 3.8мΩ при напряжении затвор-исток 8В. Рассеиваемая мощность 3W. Емкость затвор-исток 1.35нФ, емкость сток-затвор 69пФ, емкость сток-исток 730пФ. Заряд затвора 6.5нКл при напряжении 4.5В, пороговое напряжение 850мВ. Диапазон рабочих температур от -55℃ до +150℃. Соответствует требованиям RoHS.

Производитель Texas Instruments
Тип канала N-Channel
Напряжение VDSS, В 25
Ток стока ID, А 60
RDS(on), мОм 3.8
Корпус DFN-8
Выходная ёмкость, пФ 730
Рабочая температура, °C -55…+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 3
Общий заряд затвора Qg, нК 6.5
Емкость затвор-сток Crss, пФ 69
Входная емкость Ciss, пФ 1350
Напряжение затвор-сток VGSth(max), В 0.85

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.