CI60N120SM4 | Магазин Электроника
Loading
Полевые транзисторы (FET)

CI60N120SM4

257,00 ₽
273,00 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 257,00 ₽
от 3 шт. 251,67 ₽
от 10 шт. 246,80 ₽
Срок поставки 12 дней
Loading
Доступно: 323 шт.
MOSFET канальный N-канальный, 1,2 кВ, 60 А, TO-247-4L
p551429

Полевой транзистор на основе карбида кремния (SiC MOSFET), N-канальный, корпус TO-247-4L. Напряжение сток-исток 1,2 кВ, ток стока 60 А, сопротивление открытого канала 45 мΩ при напряжении затвора 20 В. Рассеиваемая мощность 330 Вт. Напряжение затвора 2,5 В, емкость затвора 29 пФ, емкость сток-исток 3,55 нФ, заряд затвора 160 нКл. Диапазон рабочих температур от -55 °C до +175 °C. Соответствует требованиям RoHS.

Производитель Tokmas
Тип канала N-Channel
Напряжение VDSS, В 1200
Ток стока ID, А 60
RDS(on), мОм 45
Корпус TO-247-4L
Выходная ёмкость, пФ 162
Рабочая температура, °C -55…+175 °C
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 330
Общий заряд затвора Qg, нК 160
Емкость затвор-сток Crss, пФ 29
Входная емкость Ciss, пФ 3550
Напряжение затвор-сток VGSth(max), В 2.5

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.