Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) BG50B12UX3-I производства BYD. Предназначен для применения в силовых преобразователях и импульсных источниках питания. Номинальное напряжение коллектор-эмиттер 1200 В, максимальный ток коллектора 50 А.
Этот сайт использует файлы cookies и сервисы (Яндекс.Метрика) сбора технических данных посетителей (данные об IP-адресе, местоположении и др.) для обеспечения работоспособности и улучшения качества обслуживания. Продолжая использовать наш сайт, вы автоматически соглашаетесь с использованием данных технологий.