2SK2313 — N-канальный MOSFET 60В 60А в корпусе TO-3P | Магазин Электроника
Loading
Полевые транзисторы (FET)

2SK2313 — N-канальный MOSFET 60В 60А в корпусе TO-3P

189,00 ₽
260,00 ₽
Loading
В наличии: 4 шт.
Технические характеристики: Структура: N-канал​ Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60​ Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60​ Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/30А, 10В…
494553

Технические характеристики:

Структура: N-канал​

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60​

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60​

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/30А, 10В

​Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150

Корпус: 2-16C1B

​Вес, г: 4.6

Производитель Toshiba
Страна-изготовитель Япония
Выходная мощность, Вт 150
Тип канала N-Channel
Напряжение VDSS, В 60
Ток стока ID, А 60
RDS(on), мОм 8
Корпус TO-3P
Макс. температура перехода, °C 150
Выходная ёмкость, пФ 2600
Количество каналов 1
Тип монтажа На печатную плату
Рабочая температура, °C -55 до +150°C
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 150
Общий заряд затвора Qg, нК 170
Максимальный импульсный ток IDM, А 240
Максимальное напряжение затвор-исток VGS(max), В 20
Напряжение затвор-сток VGSth(min), В 0.8
Напряжение затвор-сток VGSth(max), В 2
Ток утечки стока при VDS=max, мкА 100
Ток утечки затвора при VGS=max, мкА 10
Технология изготовления L²-π-MOSV
Прямая передаточная проводимость Yfs, С 60

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.