1N60G | Магазин Электроника
Loading
Полевые транзисторы (FET)

1N60G

4,97 ₽
5,29 ₽
Цена за штуку при покупке
1 шт. 4,97 ₽
от 300 шт. 4,87 ₽
от 1000 шт. 4,78 ₽
Срок поставки 11 дней
Кратность заказа: 100 шт.
Loading
Доступно: 2800 шт.
ТРАНЗИСТОРЫ / Транзисторы полевые
p570612

1N60G - N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 600 Вольт, максимальный ток стока 1 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 12 Ом (при Vgs =10 В, Id = 0.6 А). Входная ёмкость 119 пФ. Заряд затвора 4 нКл

Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В: 600
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А: 1
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм: 12000
Напряжение затвор-исток (Vgs), В: ± 20
Пороговое напряжение затвор-исток Vgs (th), В: 2…4
Емкость, пФ: 119
Заряд затвора, нКл: 4
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Вес брутто: 0.22
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 40*40*21/4000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOT-223
Упаковка: REEL, 4000 шт.

Производитель HXY
Тип канала N-Channel
Напряжение VDSS, В 600
Ток стока ID, А 1
RDS(on), мОм 12000
Корпус SOT-223

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Новые продукты

Продукт BTA16-800BW WEIDA Изображение корпуса TO-220, не фото товара
BTA16-800BW WEIDA
46,00 ₽ 30,00 ₽
Продукт PC817B Изображение корпуса DIP-4, не фото товара
PC817B
74,00 ₽ 34,00 ₽
Продукт AT45DB161B-RI Изображение корпуса SO-28, не фото товара
AT45DB161B-RI
421,00 ₽ 309,00 ₽

Корзина

Ваша корзина пуста.